近日，某外媒“爆料”了所谓的中国“曼哈顿计划”，称中国科学家在深圳造出了美国多年来严防死守的极紫外（EUV）光刻机的原型机。

中国没有官方消息证实这一“爆料”，可能真，也可能伪。有意义的是，西方媒体的报道透露着西方对中国突破高端光刻设备的焦虑。环球网就为此发表评论称，中国科技进步，外媒本不必焦虑。

EUV光刻机被西方国家称为先进技术的“最后堡垒”，目前全球仅有荷兰企业阿斯麦可以生产。EUV光刻机始终受美国“把控”，只能卖给美国盟友，导致中国一台EUV光刻机也没有，仅能量产7nm芯片，落后主流3nm芯片两代。

中国力图摆脱受制于人的局面，光刻机“国产化”进程不断加速。其实不需要外媒“捕风捉影”，工信部官方网站先后公布了不少国产光刻机的技术参数，显示了清晰的技术路线。

中国人面对EUV光刻机有个经典之问——造氢弹和造EUV光刻机，哪个难？虽然这个问题需要详细的技术上的解释，但背后的心态非常乐观——哪怕比氢弹还难，我们也有造出来的那一天。

当然，我们的目标并不是打造技术孤岛，如果能更加深度、平等地融入全球经济和技术创新网络，那才是共享、共赢、共发展。

不过，既然需要自力更生，要克服哪些难题才能制造出EUV光刻机呢？下面我们来分析如何“手搓”EUV光刻机。

精确地光刻

目前主流的光刻机，用的都是光学投影式光刻。工作原理俗称“萝卜雕花”，只不过雕的不是萝卜，而是硅片（也叫硅晶圆）。

具体工作时，硅片表面会覆盖一层光刻胶，用紫外光等光线，透过掩模版（刻有电路图案的板子）照射在硅片表面，光刻胶会发生反应，将掩模版上的图案复制到硅片上，之后洗去光刻胶，就能实现半导体器件在硅片表面的构建。

半导体技术要升级，主要看晶体管中的沟道长度能不能进一步缩小，从7nm、5nm再到3nm。而想要把晶体管越做越小，就需要光刻越来越精确。

光刻光刻，主要难点在于“光学设计”。

第一个困难就是衍射极限。光刻要越来越精确，就得提高分辨率。而提高分辨率，要么减少光源波长，要么提高数值孔径——两个方式都极难。

过去，DUV（深紫外）光刻机使用的是波长193nm的深紫外光，现在EUV光刻机的光源波长为13.5nm。这一波长需要非常极致的办法才能做到。

阿斯麦官方的宣传片展示了这一震撼时刻：锡金属被熔化形成直径只有20微米的液滴，并且在真空环境中自由下落。